Проверка радиоламп
Электронные радиолампы предварительно осматривают, нет ли видимых повреждений, трещин баллона, заметных по окислению геттера, цоколя и штырьков, а затем с помощью испытателя радиоламп Л1–2 (ИЛ–14) проверяют эмиссионную способность катода, вакуум и крутизну характеристики.
Если в процессе испытания анодный ток возрастает незначительно, то вакуум радиолампы хороший, в противном случае – вакуум плохой, и радиолампу бракуют.
Комбинированные радиолампы (двойные триоды, двойные пентоды, триоды-пентоды и т. п.) проверяют так же, как обычные радиолампы, но следят за тем, чтобы для двойных радиоламп параметры были одинаковыми в пределах допуска, так как эти радиолампы обычно используются в фазоинверсных или двухтактных схемах.
При отсутствии испытателя радиоламп, подлежащие проверке, радиолампы устанавливают в заведомо исправный усилитель вместо однотипной радиолампы и измеряют ее режим работы по постоянному току. Затем радиолампу проверяют, прослушивая работу усилителя.
Проверяя мощные радиолампы (оконечные или выпрямительные) в заведомо исправном усилителе, обращают внимание на аноды, нагрев которых докрасна свидетельствует о плохом вакууме или различии параметров (обычно в двухтактных схемах). Проверяют, нет ли свечения газа между электродами, что служит признаком плохого вакуума.
Иногда синеватое свечение стекла баллона ошибочно принимают за ионизацию газа, т. е. считают, что радиолампа имеет плохой вакуум, и бракуют ее. Свечение стекла объясняется его составом и действием высокого статического заряда электрического поля, что на качестве работы радиолампы не сказывается.
Проверка полупроводниковых приборов
Отказ таких полупроводниковых приборов, как полупроводниковые диоды, может быть: постепенным в виде изменения прямого и обратного сопротивлений вследствие старения или нарушения как теплового, так и электрического режимов или внезапным – пробой перехода из-за перегрузки по напряжению или току.
Кроме того, не исключена вероятность поломки выводов и нарушения гигроскопичности при неаккуратном обращении.
Полупроводниковые диоды проверяют, снимая характеристики прямого и обратного тока, с последующим вычислением rпр и rобр. Однако можно ограничиться измерением указанных сопротивлений омметром. При этом rобр должно быть значительно больше rпр(rобр/rпр) > 1000). Если сопротивление диода измеряют непосредственно в схеме, то один вывод его необходимо отпаять.
Отказ других полупроводниковых приборов – полупроводниковых транзисторов, так же, как и полупроводниковых диодов, может быть постепенным или внезапным. К первым относятся: дрейфы параметров, а ко вторым пробой перехода база – эмиттер или база – коллектор и механические повреждения.
Дрейфы параметров полупроводниковых транзисторов подразделяются на:
1) токовый дрейф – изменение усилительных свойств после толчка тока эмиттера;
2) дрейф обратного тока – медленное изменение тока коллектора;
3) температурный дрейф – медленное изменение усилительных свойств из-за температурных влияний.
Транзисторы можно проверить, сняв выходную характеристику, но обычно, допуская некоторую неточность, упрощают испытания, измеряя Iк0 – обратный ток коллектора и вычисляя коэффициент усиления по току: β = Iк/Iб.
Iк0 измеряют при отключенном эмиттере, а базу транзистора соединяют с плюсом (для транзисторов типа p–n–p) источника питания Eк = 8–10 В (рис. 1, б). Iк0 может быть порядка 2–40 мкА. Постоянство или постепенное уменьшение его указывает на хорошую стабильность транзистора, а увеличение – на плохую. Для вычисления β в схему включают резистор R с сопротивлением, значительно большим сопротивления перехода эмиттер – база (рис. 1, а).
Тогда Iб = Eк/R и β = IкR/Eк, где Eк берут 1–1,5 В.
Рис. 1. Проверка исправности транзисторов.